SK Hynix在HBM的地位毋庸置疑，但最近三星和美光也來勢洶洶。但韓國巨頭也不輕易讓位。

根據(jù)韓國媒體Money Today 報導表示，SK 海力士與第三方封裝測試廠商(OSAT) 大廠Amkor 進行了硅中介層合作的協(xié)商。預計SK 海力士將向Amkor 一并供應HBM 記憶體和2.5D 封裝用硅中介層，再由Amkor 則負責利用硅中介層完成客戶邏輯芯片與SK 海力士HBM 記憶體的整合。

報導指出，針對這項SK 海力士與Amkor 的合作，SK 海力士官方人士表示，雖然協(xié)商目前仍處于早期階段，但雙方正在進行各種談辦協(xié)商，以提供仲介層來滿足客戶的需求，如此也進一步強化SK 海力士在HBM 方面的優(yōu)勢。

報導表示，硅中介層是性能優(yōu)秀的HBM 記憶體整合仲介材料，被視為2.5D 封裝的核心。目前，全球市場上僅有四家企業(yè)，包括臺積電、三星電子、英特爾、聯(lián)電等擁有制造生產(chǎn)硅中介層的能力，而前三家公司也因此成為了專業(yè)先進封裝的領導者。

因為基于上訴的市場狀況，SK 海力士如果能達到硅中介層量產(chǎn)的目標，就代表著其能提供HBM + 硅中介層的解決方案供應，有機會可進一步提升SK 海力士向英偉達等客戶交付HBM 的能力。此外，三星電子計畫透過邏輯代工+ HBM 記憶體+ 先進封裝的全流程一條龍式服務提供，進一步與SK 海力士爭奪HBM 訂單的情況下，SK 海力士拓展自身產(chǎn)品鏈的做法，未來預計也有助于減少三星電子對HBM 業(yè)務的沖擊。

臺積電、SK海力士和英偉達組“三角聯(lián)盟”聚焦HBM4

臺積電、SK海力士和英偉達將組成“三角聯(lián)盟”，并在會上宣布一項聯(lián)合計劃，綜合媒體報導，三方的合作內容，是會透過高頻寬記憶體HBM4等下一代技術搶占人工智能市場。

據(jù)媒體wccftech說，在這次的SEMICON，包括：英偉達首席執(zhí)行長黃仁勛、SK 海力士總裁Kim Joo-sun等人都會出席，且將聚焦下一代HBM技術上的合作，特別是革命性的HBM4記憶體。

報導說，目前不確定SK海力士將如何實施HBM4記憶體，但與臺積電和英偉達合作已經(jīng)相當明朗化。SK海力士與臺積電將合作開發(fā)尖端HBM4記憶體，英偉達則提供產(chǎn)品設計。

報導說，SK海力士是最早實施“多功能HBM”的公司之一，他們先前透露，計劃將記憶體和邏輯半導體整合到單一封裝中，這意味著不需要封裝技術，并且這將被證明具有更高的性能效率。

三星傳以4 納米量產(chǎn)HBM4，對抗SK 海力士、臺積電聯(lián)盟

市場謠傳，三星電子（Samsung Electronics Co.）準備以先進4 納米制程量產(chǎn)次世代高頻寬記憶體「HBM4」。

《韓國經(jīng)濟日報》15日引述未具名消息人士報導，三星準備運用4納米制程，量產(chǎn)第六代HBM4的邏輯晶粒（logic die）。邏輯晶粒位于晶粒堆疊的最底層，為HBM的核心元件。

記憶體制造商已能為HBM3E等現(xiàn)有產(chǎn)品制造邏輯晶粒，但第六代模型具備客戶要求的客制化功能，需要額外導入晶圓工序。

4納米是三星主打制程，良率超過70%。三星也運用這項制程生產(chǎn)旗艦AI智能手機「Galaxy S24」的Exynos 2400處理器。

業(yè)界人士指出，「4納米雖比7納米、8納米貴很多，但芯片效能與功耗（power consumption）也優(yōu)秀很多?！埂改壳耙?0納米制程生產(chǎn)HBM3E的三星，計劃用4納米奪得HBM領導地位」。

SK海力士（SK Hynix）4月宣布與臺積電合作。SK海力士4月19日聲明稿表示，依據(jù)雙方臺北敲定的備忘錄，將合作開發(fā)第六代HBM4芯片，2026年量產(chǎn)。